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NTLJD2104P
MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
6.6
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = ? 4.5 V, V DD = ? 6.0 V,
I D = ? 3.0 A, R G = 2.0 W
12.3
14
16.2
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Recovery Voltage
Reverse Recovery Time
V SD
t RR
V GS = 0 V, I S = ? 1.0 A
T J = 25 ° C
T J = 85 ° C
? 0.7
? 0.65
23
? 1.0
45
V
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, d ISD /d t = 100 A/ m s,
I S = ? 1.0 A
8.0
15
Reverse Recovery Time
Q RR
10
20
nC
5. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
ORDERING INFORMATION
Device
NTLJD2104PTBG
NTLJD2104PTAG
Package
WDFN6
(Pb ? Free)
WDFN6
(Pb ? Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
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